专业代理MICROCHIP单片机 芯片IC 光耦 MOS管 场效应管 可控硅 IGBT 桥堆 二极管 三极管
中文规格书,应用技术资料,PDF下载

客服电话:0512-50710709 | 收藏本站

网站首页 产品展示 品牌导航 技术资料 公司简介 帮助中心 联系我们
  您的位置: 首页 >> MOS管|IGBT|模块 >> SILAN士兰微 >> SVF4N65RM
SVF4N65RM图片

SVF4N65RM
元件品牌:SILAN士兰微
元件型号:SVF4N65RM
封装:TO-251
参数:4A 650V MOS管
全新原装正品保障,质量是企业的生命!
采购数量:
 

产品介绍

SVF4N65RM是SILAN士兰微的一款4A 650V MOS管,东森微电子是士兰微代理商,常备SVF4N65RM库存,并可提供相应技术支持对接.欢迎采购.

SVF4N65RM: N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
特点
∗ 4A,650V,RDS(on)(典型值)=2.2Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力

 

 极限参数(除非特殊说明,TC=25°C)  参数名称  符号  参 数 范 围  
SVF4N65AT  SVF4N65AF  SVF4N65AD  
漏源电压  VDS 650  
栅源电压  VGS ±30  
漏极电流  TC= 25°C  ID 4.0  
TC= 100°C  2.53  
漏极脉冲电流  IDM 16.0  
耗散功率(TC=25°C)   - 大于25°C每摄氏度减少  PD 110  39  90  
0.88  0.31  0.72  
单脉冲雪崩能量(注 1)  EAS 235  
工作结温范围  TJ -55~+150  
贮存温度范围  Tstg -55~+150  

我司不但为您提供可靠的SVF4N65RMMOS管|IGBT|模块,还可提供SVF4N65RM应用资料、各类证书及产品研发技术支持!
联系方式

总 机:0512-50710709
手 机:15950933050
微信:15950933050
业务QQ:41086900
技术QQ:1723916736
E-mail:master@ksmcu.com

最近浏览元件

SVF4N65RM

相同品牌元件

SVT035R5ND

SVF7N65RMJ

SD6604D

SD6602D

SGT20T60SD1F

更多...

专 业 、 专 注 、 诚 信 -- 我 们 只 为 您 的 产 品 更 可 靠 !

诚信通店  淘宝店  
Copyright 2018 ksmcu.com. All Rights Reserved.版权所有:昆山东森微电子有限公司 客户服务热线:0512-50710709 传真:0512-50111209
客户服务邮箱:master@ksmcu.com 苏ICP备09041038号