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HGQ018N03A图片

HGQ018N03A
元件品牌:东森微
元件型号:018N03A
封装:DFN5X6-8
参数:30V 190A N-MOS
全新原装正品保障,质量是企业的生命!
采购数量:
 

产品介绍

HGQ018N03A是华润华晶的一款30V 190A MOS管,采用DFN5X6-8封装,东森微电子是华晶授权代理商,常备HGQ018N03A库存,并可免费提供样品及技术支持,可开13%增票.

HGQ018N03A, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and PWM applications. The package form is PDFN5*6, which accords with the RoHS standard.

Features:
*Fast Switching
*LowON Resistance(Rdson≤1.8mΩ)
*Low Gate Charge
*Low Reverse transfer capacitances
*100%Single Pulse avalanche energy Test
Applications:
Power switch circuit of adaptor and charger.
E-cigarette,Electric Tool

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