一、产品核心优势：DSW20T65P7技术亮点

DSW20T65P7 IGBT是一款20A 650V高性能功率器件，采用第五代场截止型（Field Stop V）技术，具备超低导通损耗、高开关速度和优异温度稳定性，专为EG1155数字充电器/机开发应用场景。

核心性能：

• 电压/电流：650V / 20A（Tc=25℃）

• 低饱和压降：Vce(sat)≤1.5V，减少系统能耗

• 快速关断：Eoff≤0.35mJ，提升能效

• 宽温度范围：-40℃~+150℃，稳定运行

• 紧凑封装：TO-247，兼容常规散热设计

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二、典型应用场景与客户案例

1. EG1155数字充电器
DSW20T65P7的低损耗与静音设计，助力EG1155数字充电器能效提升15%，噪音降低至28dB，通过国家一级能效认证。

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三、技术参数与选型对比（附PDF下载）

关键参数表：

参数	数值
集电极-发射极电压	650V
连续集电极电流	20A (@Tc=25℃)
峰值电流	40A
开关损耗（Eon+Eoff）	≤0.7mJ
封装形式	TO-247

竞品对比优势：

• 对比英飞凌IKW20N60T，DSW20T65P7 在导通损耗和供应稳定上更优，成本降低约20%。

• 点击下载：DSW20T65P7 规格书.pdf | IGBT家电应用指南.pdf

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四、客户评价与技术支持

某电源企业反馈：
“采用DSW20T65P7 后，开关电源功耗降低22%，且良率提升至99.8%，大幅降低生产成本。”

服务承诺：

• 免费提供EMI优化方案与SPICE仿真模型

• 24小时样品送达（支持企业用户认证）

• 批量订单1天快速响应

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五、常见问题解答（FAQ）

Q1：该IGBT是否适用于高频反激式电源？
答：支持最高65kHz开关频率，适用于反激拓扑，若需更高频需求，建议选用士兰微SJ MOSFET系列。

Q2：如何避免模块在高温环境下失效？
答：推荐使用PCB铜箔散热+强制风冷，确保壳温≤125℃。官网提供《D-PAK封装热设计手册》下载。

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六、立即获取免费样品

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