士兰微SVF18N65F MOS管_650V18A高压场效应管-工业电源专用

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标题：士兰微SVF18N65F MOS管 | 650V/18A高压N沟道场效应管，工业电源与新能源驱动核心器件
副标题：0.38Ω超低内阻，TO-220F封装散热强，适配变频器、充电桩，国产高性价比方案！

产品概述

士兰微SVF18N65F是一款高性能N沟道高压MOSFET管，专为高耐压、高可靠性工业场景设计，支持650V漏源电压（VDS）与18A持续漏极电流（ID），搭配0.48Ω超低导通电阻（RDS(on)），显著降低导通损耗与温升。采用工业级TO-220F封装，散热性能优异，广泛应用于工业变频器、电动汽车充电桩、光伏逆变器、UPS电源等高要求领域，为系统提供高效、稳定的功率转换解决方案。

核心优势

超高耐压性能
650V耐压设计，轻松应对工业级电压尖峰与浪涌冲击，保障设备长期稳定运行。
低损耗高效率
RDS(on)低至0.48Ω（@VGS=10V），减少能量损耗，提升系统能效，降低散热成本。
高频开关优化
优化的栅极电荷（Qg）与低反向恢复电荷（Qrr），适配PWM高频控制，提升逆变器与电机驱动响应速度。
工业级可靠性
TO-220F封装结合宽温工作范围（-55℃~150℃），通过士兰微严格老化测试与ESD认证，适应高温、高湿等严苛环境。

典型应用领域

工业电力设备：工业变频器、电焊机电源、大功率伺服驱动器。
新能源系统：光伏逆变器、储能设备、电动汽车充电桩模块。
消费电子：高端开关电源、LED驱动电源、家用储能逆变器。
电机控制：高压直流无刷电机、工业泵机、电动工具主控板。

技术参数速查表

参数	数值
型号	SVF18N65F
类型	N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）	650V
持续漏极电流（ID）	18A
导通电阻（RDS(on)）	0.48Ω @ VGS=10V
封装形式	TO-220F
工作温度	-55℃ ~ +150℃

为什么选择士兰微SVF18N65F？

国产高端替代：性能对标国际品牌（如ON Semi、Toshiba），成本降低25%以上，支持本土化供应链快速响应。
全生命周期支持：提供Datasheet、热设计指南、EMI优化方案及失效分析服务，降低客户开发风险。
环保与合规：符合RoHS、REACH标准，满足出口欧盟、北美等市场的环保要求。

常见问题（FAQ）

Q1：SVF18N65F是否适用于高频开关电源设计？
A：是的！其低Qg（栅极电荷）与快速开关特性可有效降低高频损耗，适用于LLC谐振拓扑、PWM控制等场景。

Q2：与同类650V MOS管相比，士兰微产品的优势是什么？
A：更高性价比、更低的导通损耗（0.48Ω@18A），且提供本土化技术支持与快速样品交付服务。

Q3：如何保障批量供货稳定性？
A：士兰微拥有自主晶圆厂与封测产线，支持产能锁定与长期供货协议，确保客户生产计划不受缺料影响。

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