士兰微SVF25NE50PN MOS管_500V25A高压场效应管-电源及焊机专用

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标题：士兰微SVF25NE50PN MOS管 | 500V/25A高压N沟道场效应管，工业电源与新能源设备首选
副标题：0.18Ω超低内阻，TO-3P封装散热强，适配逆变器、充电桩，国产高性价比方案！

产品概述

士兰微SVF25NE50PN是一款高性能N沟道高压MOSFET管，专为高功率、高可靠性场景优化设计，支持500V漏源电压（VDS）与25A持续漏极电流（ID），搭配0.18Ω超低导通电阻（RDS(on)），显著降低能量损耗与温升。采用工业级TO-3P封装，散热效率优异，广泛应用于工业电源、光伏逆变器、电动车充电桩、UPS不间断电源等领域，助力设备高效稳定运行。

核心优势

高压大电流性能
500V耐压设计，轻松应对工业级电压波动；25A持续电流输出，满足高负载场景需求。
超低导通损耗
RDS(on)低至0.18Ω（@VGS=10V），减少能量损耗，提升系统整体效率与设备寿命。
快速开关特性
优化栅极电荷（Qg）与低反向恢复电荷（Qrr），支持高频PWM控制，适用于逆变器与电机驱动。
工业级可靠性
TO-3P封装搭配宽温工作范围（-55℃~150℃），通过严格老化测试与ESD防护认证，适应恶劣环境。

典型应用领域

工业电源系统：服务器电源、通信基站电源、大功率工业适配器。
新能源设备：光伏逆变器、储能系统、电动车充电模块、风力发电控制器。
消费电子：大功率LED驱动电源、家用储能逆变器、智能家电主控电路。
电机控制：高压直流电机驱动、工业变频器、电动工具主控板。

技术参数速查表

参数	数值
型号	SVF25NE50PN
类型	N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）	500V
持续漏极电流（ID）	25A
导通电阻（RDS(on)）	0.18Ω @ VGS=10V
封装形式	TO-3P
工作温度	-55℃ ~ +150℃

为什么选择士兰微SVF25NE50PN？

国产高端替代：性能对标国际品牌（如Infineon、Fairchild），成本降低30%以上，供货周期稳定。
全流程支持：提供完整技术文档（Datasheet）、EMI优化方案及热设计指南，缩短开发周期。
环保合规：符合RoHS、REACH标准，满足全球市场准入要求。

常见问题（FAQ）

Q1：SVF25NE50PN是否适用于高频逆变器设计？
A：是的！其低Qg与Qrr特性可显著降低高频开关损耗，提升逆变器效率与响应速度。

Q2：与SVF23N50PN相比，SVF25NE50PN的优势是什么？
A：电流承载能力更强（25A vs 23A），适合更高功率密度的应用场景，且内阻更低，温升控制更优。

Q3：如何确保批量采购的稳定性？
A：士兰微拥有自主晶圆厂与封测产线，支持长期供货协议，提供产能锁定服务，避免缺货风险。

立即行动

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