SVG031R1NL5  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
 

特性

• 229A，30V，RDS(on)（典型值）=0.8mW@VGS=10V
• 低栅极电荷
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
• 100%雪崩测试
• 无铅管脚镀层
• 符合RoHS环保标准

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