23A、500V N沟道增强型场效应管 描述:SVF23N50PN 是 N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管,采用SL电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点: 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 低反向传输电容 低栅极电荷量 23A,500V,RDS(on)(典型值)=0.20 @VGS=10V |