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SVS20N60P7D2图片

SVS20N60P7D2
元件品牌:SILAN士兰微
元件型号:SVS20N60P7D2
封装:TO247
参数:20A 600V超洁MOS功率管
全新原装正品保障,质量是企业的生命!
采购数量:
 

产品介绍

SVS20N60P7D2:20A,600V 超结 MOS功率管
描述
SVS20N60P7D2 N 沟道增强型高压功率MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
特点
20A,600V,Rps(on)=0.162@Ves=10V
创新高压技术
低栅极电荷
定期额定雪崩
较强 dv/dt 能力
高电流峰值
我司不但为您提供可靠的SVS20N60P7D2MOS管|IGBT|模块,还可提供SVS20N60P7D2应用资料、各类证书及产品研发技术支持!
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