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2SK3878的高清照片

2SK3878
2SK3878是TOSHIBA的一款MOS管|IGBT|模块,我司不但为您提供可靠的全新原装2SK3878,还可提供2SK3878应用资料、免费样品及产品研发技术支持!详情可致电垂询.
元件型号:2SK3878(STA1,E,S)
元件品牌:TOSHIBA
封装:TO3P
参数:9A 900V MOS管
全新原装正品保障,质量是企业的生命!
采购数量:
 

产品介绍

 型号:2SK3878(STA1,E,S)

商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 900V
连续漏极电流(Id) 9A
功率(Pd) 150W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1Ω@10V,4A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs) 60nC@10V
输入电容(Ciss@Vds) 2.2nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds) 190pF@25V
工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

联系方式

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