专业代理MICROCHIP单片机 芯片IC 光耦 MOS管 场效应管 可控硅 整流桥 桥堆 二极管 三极管
中文规格书,应用技术资料,PDF下载

客服电话:0512-50710709 | 首页 | 联系我们 | 网站地图 | 收藏本站

网站首页 产品展示 品牌导航 技术资料 公司简介 帮助中心 联系我们
联系方式

总 机:0512-50710709
手 机:15950933050
微信:15950933050
业务QQ:41086900
技术QQ:1723916736
E-mail:master@ksmcu.com

最近浏览元件
相同品牌元件

STM32F103ZGT6

L6569AD

STPS20S100CT

STPS2045CT

HCF4052

更多...

  您的位置: 首页 >> 可控硅 >> ST >> BTA06-600C
BTA06-600C图片

BTA06-600C
元件品牌:ST
元件型号:BTA06-600C
采购数量:
 

详细参数

品牌: ST/意法 型号: BTA06-600C
控制方式: 双向 极数: 二极
封装材料: 金属封装 封装外形: 平板形
关断速度: 高频(快速) 散热功能: 带散热片
频率特性: 超高频 功率特性: 大功率
封装: TO220 批号: 2012

BTA06 B/C
BTB06 B/C
March 1995
STANDARD TRIACS
Symbol Parameter Value Unit
IT(RMS) RMS on-state current
(360° conduction angle)
BTA Tc = 100 °C 6 A
BTB Tc = 105 °C
ITSM Non repetitive surge peak on-state current
( Tj initial = 25°C )
tp = 8.3 ms 63 A
tp = 10 ms 60
I2t I2t value tp = 10 ms 18 A2s
dI/dt Critical rate of rise of on-state current
Gate supply : IG = 500mA diG/dt = 1A/ms
Repetitive
F = 50 Hz
10 A/ms
Non
Repetitive
50
Tstg
Tj
Storage and operating junction temperature range - 40 to + 150°C
Tl Maximum lead temperature for soldering during 10 s at 4.5 mm
from case
260 °C
..HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY .COMMUTATION : (dV/dt)c > 5 V/ms BTA Family :
INSULATINGVOLTAGE= 2500V(RMS)
(UL RECOGNIZED : E81734)
DESCRIPTION
Symbol Parameter BTA / BTB06-... B/C Unit
400 600 700 800
VDRM
VRRM
Repetitive peak off-state voltage
Tj = 125 °C
400 600 700 800 V

我司不但为您提供可靠的BTA06-600C可控硅,还可提供BTA06-600C应用资料、各类认证证书及产品研发等技术支持!
专 业 、 专 注 、 诚 信 -- 我 们 只 为 您 的 产 品 更 可 靠 !

诚信通店  淘宝店  
Copyright 2018 ksmcu.com. All Rights Reserved.版权所有:昆山东森微电子有限公司 客户服务热线:0512-50710709 传真:0512-50111209
客户服务邮箱:master@ksmcu.com 苏ICP备09041038号